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申博8注册_IR推出採用PQFN封装20V、25V及30V MOSFET

   IR推出採用PQFN封装20V、25V及30V MOSFET

IRFH6200TRPbF 提供业界最低导通电阻

全球必v半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出一系列新型HEXFET必vMOSFET,当中包括能够提供业界最低导通电阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。

这些新必vMOSFET具备IR最先进的硅技术,亦是该公司首批採用5x6mm PQFN封装,并配备经优化的铜钳和焊接晶片的元件。IRFH6200TRPbF 20V元件提供领先业界的(RDS(on)),在4.5V Vgs下最高也只为1.2mΩ,有助手动工具等DC马达驱动驱动应用显着减低传导损耗。

IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示:「IR凭着在基準MOSFET技术方面的丰富经验和不断的努力,继续在业界发挥光芒,透过把我们新一代硅技术与PQFN封装技术结合,推出性能超卓的新MOSFET系列,带来领先业界的(RDS(on))。此外,我们将按产品发展路径,在未来数月推出广阔的PQFN基準MOSFET产品阵营,来回应客户的诉求。」

25V IRFH5250TRPbF和30V IRFH53xxTRPbF这两款元件都是为DC开关应用,例如要求高电流承载能力和高效率的有源ORing及DC马达驱动应用而设计。IRFH5250TRPbF具备极低的RDS(on),最高只有1.15mΩ,且闸电荷 (Qg) 仅为52nC。至于IRFH5300TRPbF的RDS(on)则最高只有1.4mΩ,而Qg就有50nC。

如果设计採用IRFH6200TRPbF、IRFH5250TRPbF和IRFH53xxTRPbF元件,不单能够拥有卓越的温度性能,还可以在指定的必v损耗下,比现有的解决方案使用较少的零件,有助节省电路板空间及成本。

所有这些新元件都具备低温度电阻 (<0.5°C/W),兼且达到第一级湿度感应度 (MSL1) 业界标準。它们也不合铅、溴化物和卤素,符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

IRFH6200TRPbF产品规格

元件编号封装电压最大VgsRdson max @ Vgs=4.5Rdson max @ Vgs=2.5Id @ Tc=25

IRFH6200TRPbFPQFN 5x6mm20 V±12V1.2 mOhm1.4 mOhm100 A

IRFH5250TRPbF和IRFH53xxTRPbF产品规格

元件编号封装电压Rdson max @ Vgs=10Rdson max @ Vgs=4.5Qg typ @ Vgs=4.5Id @ Tc=25

IRFH5250TRPbFPQFN 5x6mm25 V1.15 mOhm1.7 mOhm52 nC100 A

IRFH5300TRPbFPQFN 5x6mm30 V1.4 mOhm2.1 mOhm50 nC100 A

IRFH5301TRPbFPQFN 5x6mm30 V1.85 mOhm2.9 mOhm37 nC100 A

IRFH5302TRPbFPQFN 5x6mm30 V2.1 mOhm3.5 mOhm29 nC100 A

有关产品现正接受批量订单。这些新元件的数据资料和应用说明已刊登于IR的网站。

关于美商国际整流器公司 (International Rectifier;IR)

国际整流器公司 (NYSE:IRF) 是全球必v管理技术方面的领导厂商。IR的数位、类比和混合讯号IC、先进电路元件、集成必v系统及元件,可用来驱动高效能运算、减少马达的能源损耗 (马达是全球最大的电力消耗装置)。世界上有不少着名的超级电脑、省电电器、照明设备、汽车、卫星系统、航太和国防系统製造商都倚靠IR的必v管理技术来设计其下一代产品。欲进一步了解IR,敬请浏览该公司网站

新闻联络人:

美商国际整流器公司

环球市务及企业传讯副总裁Graham Robertson

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香港商世纪奥美公关顾问股份有限公司

台湾分公司王雅麟

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